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產(chǎn)品參考圖片
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IS43DR86400C-3DBLI-TR
  • 制造廠商：ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導體）
  • 類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：60-TFBGA
  • 技術參數(shù)：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
  • （專注銷售ISSI電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨！）
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    • 參數(shù)詳情：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IS43DR86400C-3DBLI-TR
  • 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
  • 產(chǎn)品系列：存儲器
  • 包裝：卷帶（TR）
  • 系列：-
  • 零件狀態(tài)：不適用於新設計
  • 存儲器類型：易失
  • 存儲器格式：DRAM
  • 技術：SDRAM - DDR2
  • 存儲容量：512Mb（64M x 8）
  • 存儲器接口：并聯(lián)
  • 時鐘頻率：333MHz
  • 寫周期時間-字，頁：15ns
  • 訪問時間：450ps
  • 電壓-供電：1.7V ~ 1.9V
  • 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝：60-TFBGA
  • IS43DR86400C-3DBLI-TR的訂貨細節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認。
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