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IS61DDB21M36-250M3L供應(yīng)商
IS61DDB21M36-250M3L
制造廠商：ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc. 芯成半導(dǎo)體）
類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：165-LBGA
技術(shù)參數(shù)：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
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參數(shù)詳情：
制造商產(chǎn)品型號：IS61DDB21M36-250M3L制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA產(chǎn)品系列：存儲器包裝：托盤系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)存儲器類型：易失存儲器格式：SRAM技術(shù)：SRAM - 同步，DDR II存儲容量：36Mb（1M x 36）存儲器接口：并聯(lián)時鐘頻率：250MHz寫周期時間-字，頁：-訪問時間：-電壓-供電：1.71V ~ 1.89V工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）安裝類型：表面貼裝型產(chǎn)品封裝：165-LBGAIS61DDB21M36-250M3L的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
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